《科创板日报》2月12日讯 跟着AI揣测对内存需求不息扩大，大众存储时刻革命也参加“加快期”。

据韩国经济日报报谈，SK海力士近日在IEEE（电气与电子工程师协会）大众半导体大会上发表论文，提议了一种全新的存储架构。据悉，该架构名为“H³（hybrid semiconductor structure）”，同期继承了HBM和HBF两种时刻。

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在SK海力士想象的仿真本质中，H³架构将HBM和HBF显存并置于GPU旁，由GPU珍贵揣测。该公司将8个HBM3E和8个HBF置于Blackwell GPU旁，效力露馅，与单独使用HBM比拟，这种建树不错将每瓦性能普及高达2.69倍。

图源：SK海力士

本质效力露馅，H³架构在AI推理边界尤其具有上风。推理的中枢是键值缓存 (KV cache)，它用于临时存储数据，以相识 AI 管事与用户之间交互的历程和“高下文”。但是，米兰体育官网跟着 AI 性能的普及，KV缓存容量不息增长，以致于HBM和GPU迟缓应接不暇。

因此，HBF被视作上述架构的中枢。与堆叠DRAM芯片的HBM访佛，HBF通过堆叠NAND闪存而制成。被称作“HBM之父”的韩国科学时刻院（KAIST）解说金正浩类比谈，HBM与HBF就好比书斋与藏书楼。前者容量虽小，但使用起来神圣；后者容量更大，但也意味着蔓延更高。

通过在HBF中存储KV缓存，GPU和HBM不错减弱存储KV缓存的包袱，从而专注于它们在高速揣测和创建新数据方面的上风。SK海力士模拟了HBF解决高达1000万个令牌的海量键值缓存的场景，效力标明，与仅使用HBM的建树比拟，该系统解决并发查询的智商普及了高达18.8倍。昔日需要32个GPU材干完成的责任负载，面前只需两个GPU即可完成。

从产业层面来看，SK海力士、三星、闪迪等均在鼓吹HBF时刻研发。SK海力士预备最早于本年推出HBF1（第一代产物）样品，该产物瞻望继承16层NAND闪存堆叠而成。三星电子和闪迪则预备最快在2027年底或2028岁首将HBF时刻专揽于英伟达、AMD和谷歌的本体产物中。

广发证券觉得，现时大模子的参数限度还是达到万亿级别，高下文长度多半向上128K，HBM的容量已难以中意AI大模子关于内存容量的条目。在研的HBF存储容量有望达到现存HBM的8至16倍，有望将GPU的存储容量膨大至4TB，或成为中意AI大模子内存容量条目的最好决策。

东方证券暗意，利基存储不仅是存量市集，更是增量市集，AI需求有望为利基存储大开增量空间。SLC NAND有望专揽于AI SSD产物，以高效解决AI推理中的数据；SLC NAND异日也可能专揽在HBF（高带宽闪存）中。利基存储产能抓续被主流存储挤压，加价有望抓续。